项目推介｜高精密碳化硅陶瓷零部件

本期分享半导体领域融资项目——高精密碳化硅陶瓷零部件项目。相关信息供各位参阅，详细情况可联系对接。

一、项目概况

项目名称：高精密碳化硅陶瓷零部件

企业所在地：长沙

项目主体2023年7月成立，专注碳基材料、碳化硅陶瓷复合材料研发与制造。

核心聚焦半导体装备高精密SiC零部件，产品覆盖外延、刻蚀、热处理、量测设备核心组件，同时拓展核能、国防空间光学等高端领域应用。

二、核心技术优势

1.复杂结构精密陶瓷原位成型技术

实现复杂构件近净尺寸成型、精密加工、低温气密封接，适配大尺寸异形碳化硅零部件制造。

2.超厚 SiC 化学气相沉积技术

实现无裂纹超厚碳化硅涂层沉积，致密度、耐等离子腐蚀、热学性能对标海外水平。

三、主要产品与应用场景

1.碳化硅涂层系列

采用CVD气相沉积工艺，在石墨基材表面制备高纯度碳化硅涂层；产品耐高温、抗等离子腐蚀，杂质析出少、掉颗粒风险低，热均匀性良好。

产品包含外延腔室、石墨托盘、氧化/退火炉管、晶舟、桨叶等，主要用于半导体外延、热处理高温热场系统，作为高温工艺环节的腔体、晶圆承载与传片构件。

2.碳化硅吸盘系列

以高纯碳化硅为基材一体加工成型，材料刚性强、导热性能均衡，热变形量极低，平面精度可控性好。 

产品包含凸点吸盘、Chuck 承载组件，适配光刻、刻蚀、薄膜沉积等工序，实现晶圆静电吸附与精密承载，保障晶圆加工平整度与工艺一致性。

3.Solid‑SiC 实体碳化硅系列

整体为无基材致密固相碳化硅坯体，无需基底涂层，耐强等离子冲刷、耐卤素腐蚀，结构稳定性强，可承受持续等离子轰击损耗。 

产品包含喷淋盘、刻蚀聚焦环，作为刻蚀腔体核心易耗零部件，用于刻蚀设备腔体内，实现工艺气体分配、等离子场约束，属于高频更换耗材。

4.碳化硅工件台系列

一体化精密成型碳化硅结构件，材料热膨胀系数极低、刚性高、形变微小，可实现超高形位公差控制。

 产品包含横梁、导轨、龙门框架，应用于光刻机、先进封装设备、激光加工设备的运动平台，保障设备长期精密运动与光学定位稳定性。

5.定制化碳化硅产品

复用成熟碳化硅成型与后处理工艺，可按照客户图纸定制化调整尺寸、结构与表面指标，材料兼具轻量化、耐高温、高结构稳定性优势。

 产品包含空间光学反射镜基板、高温模具。面向航天空间光学载荷、粉末烧结、热压成型等半导体外高端领域配套。

四、产业基础

项目已完成两轮千万级融资，分别由力合资本、合创资本领投。目前已建成2条CVD‑SiC产线，具备年产碳化硅涂层制品5000件产能；拥有发明专利2项、实用新型专利7项。外延炉托盘、栅氧炉炉管、碳化硅晶舟等产品已经通过国内多家头部客户验证，进入小批量量产阶段。目前已有订单，将继续扩展生产线。

五、融资及产业化落地规划

1.融资需求

本轮 A + 轮融资，计划募资 3000‑5000 万元，投前估值 2.5 亿元，资金全部用于半导体碳化硅零部件产业化扩产、新产品研发与运营周转。

2.落地建设规划

规划建设 10000㎡标准化生产基地，层高 12 米，承重 10 吨，配套满足工艺所需电力、危化仓储、环保安评条件。

3.意向落地区域

优先选择长三角、安徽。

4.发展目标

项目五年总投资约 2.8 亿元，达产后营收预计 2‑5 亿元。

前期完成涂层产品客户导入、批量供货；中期推进吸盘、运动部件放量，完成 Solid CVD‑SiC 刻蚀环验证落地，搭建烧结碳化硅产线；远期打造涂层 + 实体 SiC 双产品线，成长为国内碳化硅零部件领先供应商，同步拓展航天、核能等高精密陶瓷品类。

提示：以上为项目公开要点摘录，投资决策请以企业正式 BP 及尽调材料为准，本文不构成投资建议。